晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能

金融界2024年7月19日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法“，公开号CN202410781132.6，晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极的栅极材料层包括无定型碳氮层；在所述伪栅极两侧形成侧墙结构；在所述侧墙结构远离所述伪栅极一侧的所述衬底内形成重掺杂区；在所述重掺杂区上形成金属硅化物层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层的表面与所述伪栅极的表面齐平；干法刻蚀去除所述伪栅极，形成凹部；在所述凹部内形成金属栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能。