晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利能够控制金属栅极的高度提高半导体器件的电学性能

晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能

金融界2024年7月19日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法“，公开号CN202410781132.6，晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利，能够控制金属栅极的高度，提高半导体器件的电学性能申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极的栅极材料层包括无定型碳氮层；在所述伪栅极两侧形成侧墙结构；在所述侧墙结构远离所述伪栅极一侧的所述衬底...